Handbuch der Nanoanalytik Steiermark 2005

LösungenL10: Device Modificationmittels Focused Ion Beam(FIB)L10: Device Modification mittels Focused Ion Beam (FIB)Eine „Focused Ion Beam (FIB)“-Anlage, ausgestattetmit den entsprechenden ZusatzsystemenwieInsulator Enhanced Etch (IEE) Gas InjectionSystem (GIS),Enhanced Etch GIS (für elektrische Leiter),Pt-deposition GIS (für die Abscheidung vonelektrisch leitenden Verbindungen) bzw.Tetraethylorthosilicate (TEOS) GIS (für dieAbscheidung von isolierenden Schichten),eignet sich neben den AnwendungsbereichenTEM-Lamellen-Zielpräparation und Nanostrukturierunghervorragend für die sogenannte DeviceModification.Unter Device Modification, oft auch Chip Modificationoder Nano Surgery genannt, versteht mannachträgliche Veränderungen im Design und inder Funktionalität eines bereits produzierten Halbleiter-Bauelements.Dies umfasst eine Vielzahl vonMöglichkeiten, die je nach Bedarf und dem damitverbundenen Kostenaufwand durchgeführt werdenkönnen.Bedenkt man, dass ein Mikrochip im Grunde„nur“ aus vielen elektronischen Schaltkreisen,deren Größe im Mikrometerbereich liegt, zusammengesetztist, so ist leicht nachvollziehbar, dassdurch Änderungen in den einzelnen logischenSchaltkreisen oder in der Ansteuerung größererSchaltkomplexe die Funktionalität eines gesamtenBauelementes auf spezielle Anforderungen abgestimmtwerden kann.Die dafür notwendigen Modifikationen sind mitder seit mehr als einem Jahrzehnt verfügbarenTechnologie des fokussierten Ionenstrahls (FIB),die das positionierte Schneiden, Abtragen und Abscheidenvon Material bis hinab zu einer lateralenAuflösung von ~20 nm erlaubt, durchführbar.Index Kontakte Institute Lösungen MethodenAbbildung 1:Kreuzverbindung zweier Leiterbahnenmittels Pt-Abscheidung.Handbuch der Nanoanalytik Steiermark 2005145