Handbuch der Nanoanalytik Steiermark 2005

L39: Untersuchung eines Defektes in einem HL-BauelementAbbildung 1:TEM-Bild (a) und Elementverteilungsbilder von Aluminium (b), Stickstoff (c), Sauerstoff (d), Silizium (e) undTitan (f) eines Querschnittes durch ein Halbleiterbauelement (aus [1]).Die TiN-Schicht in Abb. 4 (gelb als Mischfarbevon rot und grün) ist deutlich schmäler als die Verteilungdes Ti (rot). Zusätzlich zu den dargestelltenElementverteilungsbildern wurden auch solche vonSi und Al aufgenommen und quantitativ hinsichtlichder chemischen Zusammensetzung ausgewertet.Dieses Ergebnis ist in einem daraus gewonnenenLinienprofil zusammengefasst (Abb. 5).Aus diesem Konzentrationsprofil lässt sich folgendeSchichtfolge (ausgehend von der Al-Schicht)angeben: Al, Al-Ti-O-Phase, Ti 0.6 N 0.4 , Ti-N-O-Phase,SiO 2 + Ti, SiO 2 .Literatur[1] W. Grogger, F. Hofer, P. Warbichler, O.Leitner (1999) „Elemental mapping of semiconductordevices using energy-filtering transmissionelectron microscopy“. Inst. Phys. Conf. Ser. 164,35 – 8.Abbildung 2:TEM-Bild eines vergrößerten Ausschnittesaus Abb. 1c mit eingezeichnetenEELS-Analysepunkten (Z1 – Z4).Werner Grogger, Ferdinand HoferTechnische Universität GrazForschungsinstitut für Elektronenmikroskopie undFeinstrukturforschungund Zentrum für Elektronenmikroskopie Graz212Handbuch der Nanoanalytik Steiermark 2005