Handbuch der Nanoanalytik Steiermark 2005

M19: Leitfähigkeits-Rasterkraftmikroskopie (C-AFM)senen Siliziumoxidschichten handelt es sich dabeium wenige nm hohe Erhebungen mit ca. 50 nmDurchmesser, die nach neuesten Erkenntnissenebenfalls aus Silizium bestehen. Da diese Modifikationenreproduzierbar sind, lässt sich durch Anlegender Spannungspulse an definierten Probenorteneine Nanostrukturierung auf der Siliziumoxidschichtdurchführen (s. Abb. 3).Abschließend sei noch erwähnt, dass neben derC-AFM-Methode auch die Kelvin Force Microscopy(KFM, Messung von Kontaktpotenzialdifferenzen)und die Rasterkapazitätsmikroskopie (ScanningCapacitance Microscopy – SCM, Bestimmung vonDotierprofilen) zur elektronischen Charakterisierungvon Halbleiterschichten auf der Nanometerskalaeingesetzt werden.Methoden:M28 | M29Lösungen: —Christian Teichert, Sascha KremmerMontanuniversität LeobenInstitut für PhysikInstitute:Kontakte:I12K46C-AFM | Dünnschichten, dielektrische | Gateoxide | high-k dielectricLeitfähigkeits-Rasterkraftmikroskopie | Rasterkraftmikroskopie52Handbuch der Nanoanalytik Steiermark 2005