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Handbuch der Nanoanalytik Steiermark 2005

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L21: HT-XRD – Spannungen und DeformationenAbbildung 3:AnalyseVerän<strong>der</strong>ung <strong>der</strong> Reflexlage desAl(331)-Reflexes von Probe 2 mit <strong>der</strong>Temperatur.Bei <strong>der</strong> vorliegenden Untersuchung wurdensehr dünne Aluminiumschichten mittels Magnetron-Sputter-Abscheidungauf Silizium(100)-Substratenerzeugt. Dabei wurden 4 Schichten bei unterschiedlichenSubstrat-Temperaturen abgeschieden(T D = 60, 150, 250, 300°C), um den Einfluss <strong>der</strong>Herstellungsbedingungen auf die thermisch induziertenSpannungen zu untersuchen.Die Filme wurden Temperaturzyklen von 23°Cbis 450°C ausgesetzt, wobei zur Spannungsbestimmungalle 50°C ausgewählte Röntgenreflexe<strong>der</strong> Aluminiumschicht gemessen gemessen wurden.Aus dem Diffraktionswinkel 2Θ <strong>der</strong> Reflexe(entspricht Intensitätsmaxima <strong>der</strong> Messprofile inAbb. 3) relativ zur Richtung des einfallenden Strahlskönnen die Netzebenenabstände d(hkl) und weitersdie Gitterkonstante a <strong>der</strong> (kristallinen) Al-Schichterrechnet werden.Abbildung 4:Gitterparameter a als Funktionvon sin 2 ψ.Die Verän<strong>der</strong>ung <strong>der</strong> Gitterkonstanten a mitdem Verkippungswinkel ψ des Strahls relativ zurProbenoberfläche gibt qualitativen Aufschlussüber Deformationen in <strong>der</strong> Al-Schicht. Ein linearerZusammenhang zwischen <strong>der</strong> Gitterkonstantena und sin 2 ψ weist auf eine isotrope Kristallstruktur<strong>der</strong> Al-Schicht (ohne Vorzugsorientierung) hin(s. Abb. 4). Aus <strong>der</strong> Steigung <strong>der</strong> Geraden (steigendo<strong>der</strong> fallend) erkennt man das Vorherrschen einerZug- o<strong>der</strong> Druckspannung, und über die Steigungkann <strong>der</strong> Spannungszustand auch quantifiziertwerden [1].Aus den Netzebenenabständen d(hkl) werdenanschließend die Spannungen im Al-Film als Funktion<strong>der</strong> Temperatur berechnet. Abb. 5 zeigt dieAbhängigkeit <strong>der</strong> mechanischen Spannung von<strong>der</strong> Temperatur für die 4 unterschiedlichen Metallfilme.Wie aus Abb. 5 ersichtlich ergeben sichbeim Aufheizen und Abkühlen unterschiedlicheSpannungsverläufe. Man erkennt deutlich denUnterschied zwischen den beiden Filmen, die beiniedriger Substrat-Temperatur T D erzeugt wurdenund jenen Filmen mit höherer Abscheidungstem-Index Kontakte Institute Lösungen Methoden<strong>Handbuch</strong> <strong>der</strong> <strong>Nanoanalytik</strong> <strong>Steiermark</strong> <strong>2005</strong>171

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