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Einführung ihn die Hobby - Elektronik

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den Daten der Diode unabhängiger vorher eingestellter Durchlaßstrom fließt.<br />

Zum Ermitteln der maximalen Sperrspannung (Zenerknick) oder des Sperrwiderstandes wird <strong>die</strong> Schaltung<br />

nach Abb. 5 benutzt. Hier wird, analog zur Ermittlung der Z - Spannung bei einer Z - Diode, der maximal<br />

zulässige Sperrstrom bei einer zu erwartenden Sperrspannung über den Widerstand R (hier 4,7MΩ ≥ etwa<br />

50µA bei U = 200 V) begrenzt. Dazu wird der Schalter S kurzgeschlossen und der Widerstand R entsprechend<br />

dem gewünschten Strom eventuell verändert. Danach verändert man <strong>die</strong> Spannung an der in Sperrichtung<br />

angeschlossenen Diode nach oben, bis das Strominstrument einen starken Anstieg verzeichnet. Die dazu<br />

erforderliche Spannung gibt den Wert der Z-Spannung an. Das Spannungsinstrument wird dabei über <strong>die</strong><br />

Buchsen A und B angeschlossen. Es ist dabei zu berücksichtigen, daß durch den immer gering fließenden<br />

Sperrstrom eine Spannungsteilung über den Begrenzungswiderstand und den Sperrwiderstand der Diode<br />

auftritt. Die exakte Messung der Sperrspannung ist nur mit einem sehr hochohmigen Meßinstrument an den<br />

Punkten A´ und B möglich.<br />

Der Sperrwiderstand wird bei der zu erwartenden Sperrspannung gemessen. Dafür wird <strong>die</strong> Spannungsquelle<br />

auf <strong>die</strong> Sperrspannung eingestellt, <strong>die</strong>se Spannung gemessen und der Diodenstrom abgelesen. Aus der<br />

Gleichung ermitteln wir den Sperrwiderstand.<br />

Auch hier wird <strong>die</strong> Spannung exakt an A´ und B mit Hilfe eines sehr hochohmigen<br />

Spannungsmeßinstrumentes gemessen.<br />

Abb.: 7<br />

Die Prüfung von Transistoren erfolgt am sichersten eingebaut in der Schaltung. Abb. 7 zeigt das Prinzip eines<br />

Verstärkers. In allen Fällen ist es einfach, <strong>die</strong> Steuerwirkung des Transistors zu prüfen, indem <strong>die</strong> Basis -<br />

Emitterspannung verändert wird, und zwar ähnlich wie bei einer Röhre, bei der man durch einfaches<br />

Überbrücken des Katodenwiderständes <strong>die</strong> Gittervorspannung verringert. Dadurch steigt der Anodenstrom und<br />

<strong>die</strong> Spannung an der Anode fällt meßbar ab. So auch beim Transistor. In Abb. 7 wird über den<br />

Spannungsteiler R1 und R2 <strong>die</strong> Basisspannung am Punkt 1 gebildet. Der fließende Emitterstrom ruft an R E

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