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2.6 Rasterkraftmikroskopie<br />
2 Charakterisierungsmethoden<br />
Die Rasterkraftmikroskopie RKM (Atomic Force Microscopy AFM) ist eine in den 80er<br />
Jahren von Binning, Gerber und Quate [55] entwickelte mikroskopische Meßmethode<br />
zur Untersuchung von Oberflächentopologien und Oberflächenstrukturen im Nanound<br />
Mikrometerbereich. Neben der hohen räumlichen Auflösung besteht der<br />
besondere Vorteil der AFM in der Tatsache, daß im Gegensatz zur<br />
Rastertunnelmikroskopie STM auch nichtleitende Substanzen untersucht werden<br />
können [56].<br />
Abbildung 2.3 zeigt den schematischen Aufbau eines AFM. Prinzipiell unterscheidet<br />
man zwischen Kontakt- und Nicht-Kontakt-Meßmodi. Die zu untersuchende Probe<br />
befindet sich auf einer piezoelektrischen Positioniereinheit, die durch Anlegen von<br />
elektrischer Spannung die Bewegung der Probe in alle drei Raumrichtungen<br />
ausführt. Darüber befindet sich eine „atomare“ Spitze (aus Si oder Si3N4), die so<br />
nahe an die Probenoberfläche herangeführt wird, daß die van-der-Waals-<br />
Anziehungskräfte 10 -7 – 10 -9 N betragen. Um laterale atomare Auflösung zu<br />
erreichen, nähert man noch weiter an, bis abstoßende Kräfte wirksam werden. Die<br />
Spitze ist an einer geneigten winzigen Blattfeder aus Si3N4 befestigt. Die direkte<br />
Meßgröße ist die Auslenkung der Feder, die auf unterschiedliche Weise bestimmt<br />
werden kann. Häufig wird eine optische Methode verwendet, bei der ein fokussierter<br />
Laserstrahl auf der vergoldeten Rückseite der Feder reflektiert wird und mit einer<br />
segmentierten Photodiode detektiert wird [57]. Die Oberflächenstruktur wird ermittelt,<br />
indem die Probe mit Hilfe der Positioniereinheit linienweise in der xy-Ebene<br />
abgerastert wird [56].<br />
Im Gegensatz zum zuvor beschriebenen Kontakt-Modus besteht bei Messungen<br />
im „tapping“-Modus kein ständiger Kontakt zwischen Spitze und Probe. Die Spitze<br />
schwingt vielmehr in der Nähe der Resonanzfrequenz der Feder über der Probe.<br />
Registriert werden Störungen der Schwingungsfrequenz, die zu einer<br />
Amplitudenveränderung und Phasenverschiebung des von der Photodiode<br />
detektierten sinusförmigen Signals führen. Aus der Amplitudenveränderung erhält<br />
man Informationen über die Topologie der Probe, während die Phasenverschiebung<br />
Aussagen über die elastischen Eigenschaften der Probe erlaubt, da diese umso<br />
stärker ist, je weicher das untersuchte Material und je stärker eine adhäsive<br />
Wechselwirkung zwischen Spitze und Probe ist.