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20<br />

2.6 Rasterkraftmikroskopie<br />

2 Charakterisierungsmethoden<br />

Die Rasterkraftmikroskopie RKM (Atomic Force Microscopy AFM) ist eine in den 80er<br />

Jahren von Binning, Gerber und Quate [55] entwickelte mikroskopische Meßmethode<br />

zur Untersuchung von Oberflächentopologien und Oberflächenstrukturen im Nanound<br />

Mikrometerbereich. Neben der hohen räumlichen Auflösung besteht der<br />

besondere Vorteil der AFM in der Tatsache, daß im Gegensatz zur<br />

Rastertunnelmikroskopie STM auch nichtleitende Substanzen untersucht werden<br />

können [56].<br />

Abbildung 2.3 zeigt den schematischen Aufbau eines AFM. Prinzipiell unterscheidet<br />

man zwischen Kontakt- und Nicht-Kontakt-Meßmodi. Die zu untersuchende Probe<br />

befindet sich auf einer piezoelektrischen Positioniereinheit, die durch Anlegen von<br />

elektrischer Spannung die Bewegung der Probe in alle drei Raumrichtungen<br />

ausführt. Darüber befindet sich eine „atomare“ Spitze (aus Si oder Si3N4), die so<br />

nahe an die Probenoberfläche herangeführt wird, daß die van-der-Waals-<br />

Anziehungskräfte 10 -7 – 10 -9 N betragen. Um laterale atomare Auflösung zu<br />

erreichen, nähert man noch weiter an, bis abstoßende Kräfte wirksam werden. Die<br />

Spitze ist an einer geneigten winzigen Blattfeder aus Si3N4 befestigt. Die direkte<br />

Meßgröße ist die Auslenkung der Feder, die auf unterschiedliche Weise bestimmt<br />

werden kann. Häufig wird eine optische Methode verwendet, bei der ein fokussierter<br />

Laserstrahl auf der vergoldeten Rückseite der Feder reflektiert wird und mit einer<br />

segmentierten Photodiode detektiert wird [57]. Die Oberflächenstruktur wird ermittelt,<br />

indem die Probe mit Hilfe der Positioniereinheit linienweise in der xy-Ebene<br />

abgerastert wird [56].<br />

Im Gegensatz zum zuvor beschriebenen Kontakt-Modus besteht bei Messungen<br />

im „tapping“-Modus kein ständiger Kontakt zwischen Spitze und Probe. Die Spitze<br />

schwingt vielmehr in der Nähe der Resonanzfrequenz der Feder über der Probe.<br />

Registriert werden Störungen der Schwingungsfrequenz, die zu einer<br />

Amplitudenveränderung und Phasenverschiebung des von der Photodiode<br />

detektierten sinusförmigen Signals führen. Aus der Amplitudenveränderung erhält<br />

man Informationen über die Topologie der Probe, während die Phasenverschiebung<br />

Aussagen über die elastischen Eigenschaften der Probe erlaubt, da diese umso<br />

stärker ist, je weicher das untersuchte Material und je stärker eine adhäsive<br />

Wechselwirkung zwischen Spitze und Probe ist.

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