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Callister_-_Engenharia_e_Cincia_dos_Materiais_ptg_ ... - Ufrgs

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energia E 2 para um estado vazio de energia superior, denotado E 4 , pela absorção de um<br />

fóton de energia. A mudança em energia experimentada pelo elétron, ∆E, depende da<br />

frequência de radiação como se segue:<br />

∆E = h ν (22.6)<br />

onde, de novo, h é a constante de Planck. Neste ponto é importante que vários conceitos<br />

sejam entendi<strong>dos</strong>. Primeiro, uma vez que os esta<strong>dos</strong> de energia para o átomo são discretos,<br />

existem apenas valores específicos de ∆E entre os níveis de energia; assim, apenas os fótons<br />

de frequências correspondendo a ∆E possíveis para o átomo podem ser absorvi<strong>dos</strong> por<br />

transições eletrônicas. Além disso, toda a energia de um fóton é absorvida em cada evento de<br />

excitação.<br />

Figura 22.3 – Para um átomo isolado, uma ilustração esquemática de uma absorção de fóton<br />

pela excitação de um elétron a partir de um estado de energia para outro. A energia do fóton<br />

(hν 42 ) deve ser exatamente igual à diferença em energia entre os dois esta<strong>dos</strong> (E 4 – E 2 ).<br />

Um segundo importante conceito é que um elétron estimulado não pode remanescer<br />

num estado excitado indefinidamente; após um pequeno tempo, ele cai ou retorna de volta<br />

para o seu estado terreno (estado do chão, “ground state”) ou nível não excitado com uma<br />

reemissão de radiação eletromagnética. Vários passos de decaimento são possíveis e esses<br />

são discuti<strong>dos</strong> mais tarde. Em qualquer caso, deve existir uma conservação de energia para<br />

transições eletrônicas de absorção e emissão.<br />

Como mostram as discussões que se seguem, as características óticas de materiais<br />

sóli<strong>dos</strong> que relacionam à absorção e emissão de radiação eletromagnética são explicadas em<br />

t ermos da estrutura de banda eletrônica do material (estruturas de banda possíveis foram<br />

discutidas na Seção 19.5) e os princípios relaciona<strong>dos</strong> às transições eletrônicas, como<br />

delinea<strong>dos</strong> nos dois parágrafos precedentes.<br />

PROPRIEDADES ÓTICAS DE METAIS<br />

Considere-se os esquemas de banda de energia eletrônica para metais como ilustra<strong>dos</strong><br />

na Figura 19.4a e 19.4b; em ambos os casos uma banda de alta energia está apenas<br />

parcialmente preenchida com elétrons. Metais são opacos porque a radiação incidente tendo<br />

frequências dentro da faixa visível excita elétrons para dentro <strong>dos</strong> esta<strong>dos</strong> de energia<br />

desocupa<strong>dos</strong> acima da energia de Fermi, como demonstrado na Figura 22.4a; como uma<br />

consequência, a radiação incidente é absorvida de acordo com a Equação 22.6. Absorção total<br />

está dentro de uma muito fina camada externa usualmente menor do que 0,1µm; assim,<br />

apenas filmes metálicos mais finos do que 0,1µm são capazes de transmitir a luz visível.<br />

Figura 19.4. As várias possíveis estruturas de banda eletrônica em sóli<strong>dos</strong> a 0 K. (a) A<br />

estrutura de banda eletrônica encontrada em metais tais como cobre, na qual existem<br />

disponíveis esta<strong>dos</strong> eletrônicos acima e adjacente a esta<strong>dos</strong> preenchi<strong>dos</strong>, na mesma banda.<br />

(b) A estrutura de banda eletrônica de metais tais como magnésio, onde existe uma<br />

superposição da banda de valência preenchida com uma banda de condução vazia. (c) A<br />

estrutura de banda eletrônica característica de isoladores; a banda de valência preenchida está<br />

separada da banda de condução vazia por uma relativamente grande lacuna (“gap”, > 2eV). A<br />

estrutura de banda eletrônica encontrada nos semicodutores, que é a mesma daquela para<br />

isoladores exceto que a lacuna (“gap”) da banda é relativamente estreita (< 2 eV).

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