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Callister_-_Engenharia_e_Cincia_dos_Materiais_ptg_ ... - Ufrgs

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valência. A energia do fóton absorvido é ∆E, que é necessariamente maior do que a energia<br />

da lacuna da banda E g . (b) Emissão de um fóton de luz por uma transição direta de elétron<br />

através da lacuna da banda.<br />

O comprimento de onda mínimo para a luz visível λ(min) é de cerca de 0,4µm e<br />

uma vez que c = 3 x 10 8 m/s e h = 4,13 x 10 -15 eV-s, a máxima energia de lacuna de banda<br />

E g (max) para a qual absorção de luz visível é possível é justo<br />

E g (max) = hc/λ(min)<br />

= [(4,13 x 10 -15 eV-s)(3 x 10 8 m/s)]/(4 x 10 -7 m)<br />

= 3,1 eV (21.16a)<br />

Ou, nenhum luz visível é absorvida por materiais não metálicos tendo energias de lacuna de<br />

energia maiores do que cerca de 3,1 eV; esses materiais, se de alta pureza, aparecerão<br />

transparentes e incolores.<br />

Por outro lado, o comprimento de onda máximo para luz visível λ(max) é cerca de<br />

0,7 µm; cálculo da energia de lacuna de banda mínima E g (min) para a qual existe absorção de<br />

luz visível é de acordo com<br />

E g (min) = hc/λ(max)<br />

= (4,13 x 10 -15 eV-s)(3 x 10 8 m/s)/(7 x 10 -7 m) (22.16b)<br />

Este resultado sigifica que toda luz visível é absorvida pelas transições da banda de valência<br />

para a banda de condução para aqueles materiais semicondutores que têm energias de lacuna<br />

de banda menores do que cerca de 1,8 eV; assim esses materiais são opacos. Apenas uma<br />

porção do espectro visível é absorvido por materiais tendo energias de lacuna de banda entre<br />

1,8 e 3,1 eV; consequentemente, esses materiais aparecem colori<strong>dos</strong>.<br />

Cada material não metálico se torna opaco em algum comprimento de onda, que<br />

depende da magnitude da sua E g . Por exemplo, diamante, tendo uma lacuna de banda de<br />

5,6 eV, é opaco à radiação tendo comprimentos de onda menores do que cerca de 0,22 µm.<br />

Absorção de radiação de luz pode também ocorrer em sóli<strong>dos</strong> dielétricos tendo<br />

lacunas de banda largas, por transições eletrônicas outras que não a da banda de valência para<br />

a banda de condução. Se impurezas ou outros defeitos eletricamente ativos estiverem<br />

presentes, níveis de elétrons dentro da lacuna de banda podem ser introduzi<strong>dos</strong>, tais como os<br />

níveis doador e aceitador (Seção 19.11), exceto que eles se situam mais próximos do centro<br />

da lacuna de banda. Radiação luminosa de comprimentos de onda específicos pode ser<br />

absorvi<strong>dos</strong> como um resultado de transições eletrônicas a partir desses níveis ou para esses<br />

níveis, dentro da lacuna de banda, como ilustrado na Figura 22.6a.<br />

Figura 22.6. (a) Os mecanismos de excitação eletrônica, a partir de um nível de impureza que<br />

se situa dentro da lacuna de banda, por absorção de um fóton de luz. (b) Emissão de dois<br />

fótons envolvendo decaimento eletrônico primeiro para dentro de um estado impureza, e<br />

finalmente para dentro do estado terreno (“ground state”). (c) Geração tanto de um fonon<br />

quanto de um fóton quando um elétron excitado cai primeiro dentro de um nível impureza e<br />

finalmente de volta para o seu estado terreno.

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