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Callister_-_Engenharia_e_Cincia_dos_Materiais_ptg_ ... - Ufrgs

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Onde I o e I R são as intensidades <strong>dos</strong> feixes incidente e refletido, respectivamente. Se a luz é<br />

normal (ou perpendicular) à interface, então<br />

R = ([n 2 - n 1 ]/[n 2 + n 1 ]) 2 (22.12)<br />

onde n 2 e n 2 são os índices de refração <strong>dos</strong> dois meios. Se a luz incidente não for normal à<br />

interface, R dependerá do ângulo de incidência. Quando a luz é transmitida a partir de um<br />

vácuo ou ar para dentro de um sólido s, então<br />

R = ([n s – 1][n s + 1]) 2 (22.13)<br />

uma vez o índice de refração do ar é muito próximo da unidade. Assim, quanto maior o<br />

índice de refração do sólido, tanto maior é a refletividade. Para vidros de silicato típicos, a<br />

refletividade é aproximadamente 0,05. Justo como o índice de refração de um depende do<br />

comprimento de onda da luz incidente, o mesmo acontece com a variação da refletividade<br />

com o comprimento de onda. Perdas por reflexão de lentes e outros instrumentos óticos são<br />

minimiza<strong>dos</strong> significativamente pelo revestimento da superfície refletora com muito finas<br />

camadas de materiais dielétricos tais como fluoreto de mgnésio (MgF 2 ).<br />

22.7 – ABSORÇÃO<br />

<strong>Materiais</strong> não metálicos podem ser opacos ou transparentes à luz visível; e, se<br />

transparente, eles às vezes aparecem colori<strong>dos</strong>. Em princípio, radiação luminosa é absorvida<br />

nesse grupo de materiais por três mecanismos básicos, que também influenciam as<br />

características de transmissão desses não-metais. Um desses é a polarização eletrônica (Seção<br />

22.4). Absorção por polarização eletrônica é importante somente em altas frequências na<br />

vizinhança da frequência de relaxação <strong>dos</strong> átomos consituintes. Os outros dois mecanismos<br />

envolvem transições eletrônicas, que dependem da estrutura de banda de energia eletrônica<br />

do material; estruturas de banda para semicondutores e isoladores foram discuti<strong>dos</strong> na Seção<br />

19.5. Um desses mecanismos de absorção envolve a absorção como uma consequência de<br />

excitações eletrônicas através da lacuna de banda; o outro está relacionado a transições<br />

eletrônicas para níveis de impureza ou de defeitos que se situam dentro da lacuna (“gap”).<br />

Absorção de um fóton de luz pode ocorrer pela promoção ou excitação de um elétron<br />

a partir de banda de valência quase toda preenchida, através da lacuna de banda, e para dentro<br />

de um estado vazio dentro da banda de condução, como demonstrado na Figura 22.5a; um<br />

elétron livre na banda de condução e um buraco na banda de valência são cria<strong>dos</strong>. De novo, a<br />

energia de excitação ∆E está relacionada à frequência do fóton absorvido através da Equação<br />

22.6. Essas excitações com a acompanhante absorção podem ocorrer somente se a energia do<br />

fóton for maior do que a lacuna de banda E g , isto é, se<br />

ou, em termos de comprimento de onda,<br />

hν > E g (22.14)<br />

hc/λ > E g (22.15)<br />

Figura 22.5. (a) Mecanismo de absorção de fóton para materiais não metálicos nos quais um<br />

elétron é excitado através da lacuna da banda, deixando para trás um buraco na banda de

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