01.11.2012 Aufrufe

Technische Optik in der Praxis

Technische Optik in der Praxis

Technische Optik in der Praxis

MEHR ANZEIGEN
WENIGER ANZEIGEN

Sie wollen auch ein ePaper? Erhöhen Sie die Reichweite Ihrer Titel.

YUMPU macht aus Druck-PDFs automatisch weboptimierte ePaper, die Google liebt.

200 7 Optoelektronik-Komponenten<br />

Abb. 7.22. Detektor mit Elektrometerverstärker<br />

Fotodiode im Leerlauf als Spannungsquelle arbeitet. In <strong>der</strong> Schaltung von<br />

Abb. 7.22 wird die Fotodiode ohne Vorspannung als Element und <strong>der</strong> OPV als<br />

Elektrometerverstärker betrieben. Es stehen OPV mit sehr ger<strong>in</strong>gen<br />

E<strong>in</strong>gangsströmen zur Verfügung. Die Ausgangsspannung resultiert aus<br />

UF · (R2 + R1) /R1, wobeiUF gemäß Gleichung (7.7) logarithmisch von <strong>der</strong><br />

Bestrahlung abhängt.<br />

Die Detektorsignale können auch unmittelbar speziellen <strong>in</strong>tegrierten AD-<br />

Umsetzern zugeführt werden. So erlaubt z. B. <strong>der</strong> DDC110 von Burr-Brown<br />

die direkte rauscharme 21-Bit-AD-Umsetzung von kle<strong>in</strong>sten Strömen hochohmiger<br />

P<strong>in</strong>-Fotodioden mit e<strong>in</strong>er Auflösung, die besser als 1 fA ist.<br />

7.4 CCD-Sensoren<br />

7.4.1 MOS-Kondensator<br />

CCD-Sensoren (CCD = charge coupled device) [18] bestehen aus e<strong>in</strong>em Array<br />

von MOS-Kondensatoren (Metall-Elektrode, SiO2 und Si-Substrat), die<br />

durch Bestrahlung erzeugte Ladungen speichern und transportieren können.<br />

Die Bestrahlung von <strong>der</strong> Oberseite setzt transparente Elektroden voraus. Bei<br />

<strong>der</strong> Rückseitenbestrahlung muß das Si-Substrat sehr dünn (15 bis 30 µm)<br />

se<strong>in</strong>.<br />

Abbildung 7.23 veranschaulicht die optoelektronischen Vorgänge am MOS-<br />

Kondensator mit transparenter Elektrode.<br />

Die obere transparente Elektrode wird gegenüber dem p-dotierten Si-<br />

Substrat positiv vorgespannt. Es baut sich unter <strong>der</strong> SiO2-Isolationsschicht<br />

e<strong>in</strong> an Ladungsträgern verarmter Bereich (,,Potentialtopf“) mit elektrischem<br />

Feld auf. Bei Bestrahlung werden durch die e<strong>in</strong>dr<strong>in</strong>genden Photonen Elektron-Loch-Paare<br />

generiert. Im Bereich des elektrischen Feldes driften die<br />

Elektronen zur Isolationsschicht (im Topf) und die Löcher <strong>in</strong> das feldfreie<br />

p-Si-Substrat.<br />

Weitere Photonen sorgen für weitere Elektronen, die vom Verarmungsbereich<br />

e<strong>in</strong>gesammelt werden und diesen gleichzeitig abbauen. Der Verarmungsbereich<br />

ist fast abgebaut (<strong>der</strong> Topf voll), wenn nahezu soviele Elektronen<br />

generiert und an <strong>der</strong> SiO2-Grenzschicht e<strong>in</strong>gesammelt wurden, wie ihnen positive<br />

Ladungen auf <strong>der</strong> oberen Elektrode gegenüber stehen. Die Elektronen<br />

im Topf stellen e<strong>in</strong> Bestrahlungsäquivalent dar, solange die Anzahl <strong>der</strong> durch

Hurra! Ihre Datei wurde hochgeladen und ist bereit für die Veröffentlichung.

Erfolgreich gespeichert!

Leider ist etwas schief gelaufen!