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Technische Optik in der Praxis

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7.4 CCD-Sensoren 203<br />

erfolgt die Belichtung <strong>der</strong> Zellen, dann <strong>der</strong> Ladungstransport durch die Zellen.<br />

Die Schiebezeit sollte dabei wesentlich kürzer als die Bestrahlungszeit<br />

(gleich Ladezeit) se<strong>in</strong>, um große Ladungsmengen akkumulieren zu können<br />

und ,,Verschmierungen“ des Ladungsbildes während des Transports <strong>in</strong> vertretbaren<br />

Grenzen zu halten. Die Trennung von fotoempf<strong>in</strong>dlichen MOS-<br />

Flächen und abgedeckten MOS-Transportzellen löst das Problem.<br />

CCDs stehen als Zeile und Matrix zur Verfügung. Abbildung 7.25 zeigt<br />

den typischen Aufbau e<strong>in</strong>es CCD-Zeilensensors.<br />

Der Ladungstransport erfolgt über zwei CCD-Ketten. Die fotoempf<strong>in</strong>dlichen<br />

Elemente (bei CCD-Zeilen oft auch Fotodioden) sammeln die durch Bestrahlung<br />

generierten Ladungen fast ohne Unterbrechung, da die CCD-Ketten<br />

gleichzeitig die übernommenen Ladungen zur Ausgangselektronik verschieben.<br />

Für die Ladungsübernahme <strong>in</strong> die CCD-Ketten genügt e<strong>in</strong> Verschiebetakt.<br />

Abbildung 7.26 veranschaulicht die Frame-Transfer-Struktur und die Interl<strong>in</strong>e-Transfer-Struktur<br />

von CCD-Matrixsensoren.<br />

Bei <strong>der</strong> Frame-Transfer-Struktur s<strong>in</strong>d die Flächen für die Bildwandlermatrix<br />

und die Bildspeichermatrix getrennt. Mit dieser Struktur können<br />

relativ große fotoempf<strong>in</strong>dliche Flächen realisiert werden. Die fotoempf<strong>in</strong>dlichen<br />

CCD-Ketten müssen jedoch auch zum Ladungstransport genutzt werden.<br />

Die Interl<strong>in</strong>e-Transfer-Struktur besitzt für die Transferfunktion separate<br />

CCD-Ketten. Die CCD-Matrix mit Interl<strong>in</strong>e-Transfer-Struktur setzt sich<br />

im Pr<strong>in</strong>zip aus CCD-Zeilen zusammen. Die Komplexität ist größer und die<br />

fotoempf<strong>in</strong>dlichen Flächen fallen kle<strong>in</strong>er aus, die aber durch Lens-on-Chip-<br />

Technik effizient nutzbar s<strong>in</strong>d [19]. Für die Ladungs<strong>in</strong>tegration <strong>in</strong> den MOS-<br />

Kondensatoren steht bei beiden Strukturen fast die gesamte Bildperiode zur<br />

Verfügung. Der Integrationswirkungsgrad erreicht bei <strong>der</strong> Interl<strong>in</strong>e-Transfer-<br />

Struktur nahezu den Wert E<strong>in</strong>s.<br />

Die Si-MOS-Kondensator-Strukturen s<strong>in</strong>d im gesamten sichtbaren Spektralbereich<br />

fotoempf<strong>in</strong>dlich und damit pr<strong>in</strong>zipiell für den Aufbau von CCD-<br />

Farbsensoren geeignet.<br />

Den typischen spektralen Empf<strong>in</strong>dlichkeitsverlauf von Si-CCDs und die<br />

RGB-Farblage zeigt Abb. 7.27. Die Empf<strong>in</strong>dlichkeit im nahen IR-Bereich<br />

kann durch IR-Sperrfilter gesenkt werden.<br />

Abb. 7.25. CCD-Zeile

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