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Technische Optik in der Praxis

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8.4 Koppeltechnik 229<br />

Abb. 8.21. Zur Ankopplung e<strong>in</strong>es Halbleiterlasers an e<strong>in</strong>e Monomodefaser<br />

terlaser i.a. astigmatische Strahlen mit elliptischem Querschnitt abstrahlen.<br />

Vielfach toleriert man die hieraus folgende Fahlanpassung des Laserfeldes an<br />

das <strong>der</strong> Faser; zur Erreichung e<strong>in</strong>er optimalen Koppeleffizienz müssen jedoch<br />

beide Fehler korrigiert und e<strong>in</strong>e ideale kreissymmetrische Strahlgeometrie erzeugt<br />

werden. (Das Problem besteht nicht alle<strong>in</strong> bei <strong>der</strong> Ankopplung an Glasfasern,<br />

son<strong>der</strong>n auch bei vielen Freiraum-Anwendungen von Halbleiterlasern.)<br />

Als Korrekturmaßnahmen kommen <strong>in</strong> den Strahlengang e<strong>in</strong>gebrachte Zyl<strong>in</strong><strong>der</strong>l<strong>in</strong>sen<br />

<strong>in</strong> Frage. In vielen Fällen reicht dazu e<strong>in</strong>e quergelegte Glasfaser aus.<br />

Abhilfe kann auch mit e<strong>in</strong>em sog. anamorphotischen System erreicht werden,<br />

wie es <strong>in</strong> Abb. 8.22 dargestellt ist.<br />

E<strong>in</strong>e optimale Abbildung des Laserstrahls kann statt durch E<strong>in</strong>satz diskreter<br />

<strong>Optik</strong>en auch durch e<strong>in</strong>e geeignete Behandlung des Glasfaserendes<br />

erreicht werden. E<strong>in</strong> Beispiel war die <strong>in</strong> Abb. 8.18d bereits vorgestellte Deformation<br />

des Faserendes zu e<strong>in</strong>em Taper, mit <strong>der</strong> e<strong>in</strong> ähnlicher Effekt wie<br />

mit e<strong>in</strong>er Sammell<strong>in</strong>se erreicht worden war. An<strong>der</strong>e Maßnahmen betreffen<br />

die Ausgestaltung des Faserendes selbst zu e<strong>in</strong>er L<strong>in</strong>se z. B. durch geeignetes<br />

Rundschmelzen unter dem Lichtbogen, durch Anätzen, Bearbeiten mit e<strong>in</strong>em<br />

Leistungslaser u.ä. Diese Techniken werden bei Sendemodulen für die Nachrichtentechnik<br />

angewandt. Vorteile s<strong>in</strong>d z. B. ger<strong>in</strong>gere Kosten und höhere<br />

mechanische Stabilität bei nahezu identischen Werten <strong>der</strong> Koppeleffizienz.<br />

Erreichbar s<strong>in</strong>d Werte von über 90 Prozent. E<strong>in</strong> typischer Aufbau e<strong>in</strong>es Sen<strong>der</strong>moduls<br />

im DIL-Gehäuse für die Nachrichten- und Sensortechnik ist <strong>in</strong><br />

e<strong>in</strong>er Schnittzeichnung <strong>in</strong> Abb. 8.23 gezeigt.<br />

An <strong>der</strong> l<strong>in</strong>ken Seite enthält das Modul e<strong>in</strong> Peltier-Element, mit dem die<br />

Verlustleistung des Halbleiterlasers an den Montageflansch gepumpt werden<br />

Diodenlaser<br />

Abb. 8.22. Anamorphotisches System zur Korrektur e<strong>in</strong>es Halbleiterlaserstrahls

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