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KOMMISSION - EUR-Lex - Europa

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388 DE<br />

Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften<br />

15.9.98<br />

8541 21 10 Scheiben (wafers), noch nicht in Mikroplättchen (chips) zerschnitten<br />

Die Erläuterungen zu Unterposition 8541 10 10 gelten sinngemäß.<br />

8541 29 10 Scheiben (wafers), noch nicht in Mikroplättchen (chips) zerschnitten<br />

Die Erläuterungen zu Unterposition 8541 10 10 gelten sinngemäß.<br />

8541 30 10 Scheiben (wafers), noch nicht in Mikroplättchen (chips) zerschnitten<br />

Die Erläuterungen zu Unterposition 8541 10 10 gelten sinngemäß.<br />

8541 50 10 Scheiben (wafers), noch nicht in Mikroplättchen (chips) zerschnitten<br />

8541 90 00 Teile<br />

Die Erläuterungen zu Unterposition 8541 10 10 gelten sinngemäß.<br />

Neben den in den Erläuterungen zu Position 8541 des HS aufgeführten Teilen gehören<br />

z. B. hierher:<br />

1. Halterungen und Gehäuse für piezoelektrische Kristalle;<br />

2. Gehäuse aus Metall, Steatit usw., für montierte Halbleiter.<br />

Nicht hierher gehören z. B.:<br />

a) Stromzuführungen, die den Strom von den Kontaktstiften zu den Elektroden führen<br />

(Position 8536);<br />

b) Teile aus Graphit (Unterposition 8545 90 90).<br />

8542 Elektronische integrierte Schaltungen und zusammengesetzte elektronische Mikroschaltungen<br />

(Mikrobausteine)<br />

Hierher gehören auch auswechselbare vorprogrammierte Speicherbausteine in Form monolithischer<br />

integrierter Schaltungen für elektronische Übersetzungsgeräte der Unterpositionen<br />

8470 10 90 und 8543 89 15.<br />

8542 13 01 Scheiben (wafers), noch nicht in Mikroplättchen (chips) zerschnitten<br />

8542 13 22<br />

bis<br />

8542 13 27<br />

8542 13 41<br />

bis<br />

8542 13 49<br />

Die Erläuterungen zu Unterposition 8541 10 10 gelten sinngemäß.<br />

statische Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte RAMs, statisch), einschließlich<br />

Cache-Schreib-Lesespeicher mit wahlfreiem Zugriff (sogenannte Cache-RAMs)<br />

Cache-Schreib-Lesespeicher sind statische Schreib-Lesespeicher mit einer schnelleren<br />

Zugriffszeit als der Hauptspeicher. Cache-RAMs werden in der Regel als Zwischenpufferspeicher<br />

benutzt, um den Geschwindigkeitsunterschied zwischen einer Zentraleinheit (CPU)<br />

und dem Hauptspeicher auszugleichen.<br />

elektrisch löschbare, programmierbare Lesespeicher (sogenannte E 2 PROMs), einschließlich<br />

FLASH E 2 PROMs<br />

E 2 PROMs sind Speicher, die im allgemeinen byteweise gelöscht werden.<br />

FLASH E 2 PROMs sind Speicher, die auch als „FLASH-Speicher“, „FLASH EPROMs“,<br />

„FLASH EEPROMs“ oder „FLASH E 2 PROMs“ bezeichnet werden.

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