Elektronendelokalisation in ein - KOPS - Universität Konstanz

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II. Divinylphenylen-verbrückte Rutheniumkomplexe
1062 nm und 1252 nm und sind wesentlich intensiver als in [I] + (ca. Faktor 2) und [II] +
(Faktor ca. 6 bzw 18 für die Bande bei höherer bzw. niedrigerer Energie). Dies zeigt
nochmals den Unterschied zwischen den ähnlichen Klasse II-Komplexen [I] + und [II] +
und dem „Borderline II/III“-System [III] + . Da die Komplexe die gleichen strukturellen
Bindungsmotive aufweisen, resultieren die verschiedenen Ladungsdelokalisationsparameter
∆ρ der Divinylruthenium-Komplexe ausschließlich aus dem Substitutionsmuster
an der disubstituierten Phenylenbrücke. Je höher ∆ρ, desto stärker ist die
Delokalisation im System der gemischt-valenten Spezies. Somit ist der Grad der
Delokalisation bei 1,4-Substitution des Phenylenrings am größten, gefolgt von der
1,2-Substitution. Am schwächsten delokalisiert ist das 1,3-substituierte Derivat. Damit
steigt die elektronische Kopplung in den Dirutheniumvinyl-Komplexen in der
Reihenfolge [II] +