Elektronendelokalisation in ein - KOPS - Universität Konstanz
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1.1. Theoretische H<strong>in</strong>tergründe<br />
1<br />
I. E<strong>in</strong>leitung<br />
1.1. Theoretische H<strong>in</strong>tergründe<br />
Noch vor 50 Jahren war es undenkbar, dass Elektronik im Alltag e<strong>in</strong>e solch große Rolle<br />
spielen würde wie heute. Hochpräzise Funktionswerkzeuge wie Laserskalpelle f<strong>in</strong>den<br />
bei Augenkorrekturen oder bei Tumorentfernung Anwendung. Selbst im wichtigsten<br />
Fortbewegungsmittel unserer Zeit, dem Auto, steckt weit mehr elektronisches<br />
Know-How als man das auf den ersten Blick vermuten würde. Navigationsgeräte,<br />
Fahrstabilitätskontrollen, variable Stoßdämpferangleichung etc.; all diese Komponenten<br />
basieren auf Chiptechnologie, die <strong>in</strong> den letzten Jahrzehnten e<strong>in</strong>en rasanten Aufschwung<br />
erlebt hat. Waren <strong>in</strong> den 60er Jahren die Computer noch groß wie Kommodenschränke,<br />
haben sie <strong>in</strong>zwischen Hosentaschenformat.<br />
So prognostizierte schon 1965 „Intel“-Mitbegründer Gordon Moore für die zukünftige<br />
Entwicklung der Mikroelektronik e<strong>in</strong>e jährliche Verdopplung der Transistoren pro<br />
Chipe<strong>in</strong>heit. 1975 wurde das Verdopplungs<strong>in</strong>tervall des „Moore’schen Gesetzes“ auf 18<br />
Monate korrigiert [1-3] . Dieser Trend hält zwar bis heute an, doch stoßen Industrie und<br />
Wissenschaft <strong>in</strong>zwischen an die physikalischen Grenzen zur Verkle<strong>in</strong>erung von<br />
Mikrochips. Zum E<strong>in</strong>en verliert die isolierende Funktion e<strong>in</strong>er Oxidschicht, welche<br />
Leiterbahnen umschließt, unterhalb e<strong>in</strong>er Dicke von 1.2 nm ihre Wirkung. Zum Anderen<br />
stören Tunneleffekte zwischen verschiedenen Gates deren Funktion. [1] Aus diesem<br />
Grund wagen sich seit geraumer Zeit Forscher auf das Gebiet der Nano- und<br />
Quantentechnologie. Erste Schritte, solche Ideen <strong>in</strong> die Praxis umzusetzen, gelangen<br />
Ratner et al. bereits 1974 mit Hilfe e<strong>in</strong>es re<strong>in</strong> organischen Moleküls als molekularem<br />
Gleichrichter. [4] Dieser „Bottom-up-Prozess“, also der Aufbau kle<strong>in</strong>er Moleküle zu<br />
e<strong>in</strong>em <strong>in</strong>teragierenden Ensemble, wurde erstmals als Alternative zum bis dato<br />
vorherrschenden „Top-down-Approach“, der stetigen Verkle<strong>in</strong>erung von Systemen und<br />
Bauste<strong>in</strong>en, angesehen. Damit entstand e<strong>in</strong>e neue Teildiszipl<strong>in</strong> der Elektronik: die<br />
molekulare Elektronik. Nach allgeme<strong>in</strong>er Def<strong>in</strong>ition kann jedes System, das aufgrund<br />
se<strong>in</strong>er molekularen Eigenschaften (wie UV-gesteuerte Schalter oder redox-gesteuerte<br />
Gleichrichter) gezielt adressiert werden und mit der Umwelt kommunizieren kann, als<br />
e<strong>in</strong> solches Bauelement bezeichnet werden. Hierbei lassen sich die gleichen vier<br />
pr<strong>in</strong>zipiellen Komponenten bilden, welche auch den Hauptbestandteil der