Bulletin 2010/35 - European Patent Office

(H01J) I.1(2)
(74) Einsel, Martin, et al, Patentanwälte Einsel &
Kollegen Jasperallee 1a, 38102 Braunschweig,
DE
(51) H01J 37/26 (11) 2 224 465 A2
(25) De (26) De
(21) 10001638.5 (22) 18.02.2010
(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB
GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT
NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR
AL BA RS
(30) 26.02.2009 DE 102009010774
(54) • Verfahren und Vorrichtung zur Bildkontrasterzeugung
durch Phasenschiebung
• Method and device for creating image
contrast with the use of phase shifting
• Procédé et dispositif de génération de
contraste d'image par décalage de phase
(71) Ceos Corrected Electron Optical Systems
GmbH, Englerstrasse 28, 69126 Heidelberg,
DE
(72) Zach, Joachim, Dr., 76684 Östringen, DE
Rose, Harald, Prof. Dr., 64287 Darmstadt,
DE
(74) Weber, Walter, Weber & Seidel Rechts- und
Patentanwälte Handschuhsheimer Landstrasse
2a, 69120 Heidelberg, DE
(51) H01L 21/00 (11) 2 224 466 A2
H01L 33/00
(25) En (26) En
(21) 10161092.1 (22) 11.05.2004
(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB
GR HU IE IT LI LU MC NL PL PT RO SE SI SK
TR
(30) 13.05.2003 US 438108
(54) • Hochleistungs-multi-chip-Leuchtdiode auf
alingan-basis
• High power AllnGaN based multi-chip light
emitting diode
• Diode electroluminescente haute puissance
a plusieurs puces a base de alingan
(71) Bridgelux, Inc., 101 Portola Avenue, Livermore,
California 94551-7555, US
(72) Liu, Heng, Livermore, CA 94551-7555, US
(74) Freeman, Jacqueline Carol, W.P.Thompson
& Co. 55 Drury Lane, London WC2B 5SQ,
GB
(62) 04752049.9 / 1 623 450
(51) H01L 21/00 (11) 2 224 467 A2
H01L 33/00
(25) En (26) En
(21) 10161094.7 (22) 11.05.2004
(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB
GR HU IE IT LI LU MC NL PL PT RO SE SI SK
TR
(30) 13.05.2003 US 438108
(54) • Hochleistungs-multi-chip-Leuchtdiode auf
alingan-basis
• High power AllnGaN based multi-chip light
emitting diode
• Diode electroluminescente haute puissance
a plusieurs puces a base de alingan
(71) Bridgelux, Inc., 101 Portola Avenue, Livermore,
California 94551-7555, US
(72) Liu, Heng, Livermore, CA 94551-7555, US
(74) Freeman, Jacqueline Carol, W.P.Thompson
& Co. 55 Drury Lane, London WC2B 5SQ,
GB
(62) 04752049.9 / 1 623 450
H01L 21/00 → (51) B05C 3/18
H01L 21/02 → (51) H01L 21/304
(51) H01L 21/205 (11) 2 224 468 A1
H01L 21/31 C23C 16/507
Europäisches Patentblatt
European Patent Bulletin
Bulletin européen des brevets
(25) En (26) En
(21) 10166701.2 (22) 17.06.2003
(84) DE FR GB
(30) 19.06.2002 JP 2002178129
03.12.2002 JP 2002351250
(54) • Plasmaverarbeitungsvorrichtung, Plasmaverarbeitungsverfahren,Plasmaschichtaufbringungsvorrichtung
und
Plasmaschichtaufbringungsverfahren
• Plasma processing apparatus, plasma
processing method, plasma film deposition
apparatus, and plasma film deposition
method
• Appareil de traitement plasma, procédé de
traitement plasma, appareil de dépôt de
film plasma et procédé de dépôt de film
plasma
(71) Mitsubishi Heavy Industries, Ltd., 16-5,
Konan 2-chome Minato-ku, Tokyo 108-8215,
JP
(72) Matsuda, Ryuichi, Takasago-shi Hyogo 676-
8686, JP
Shimazu, Tadashi, Takasago-shi Hyogo 676-
8686, JP
Inoue, Masahiko, Takasago-shi Hyogo 676-
8686, JP
(74) Henkel, Feiler & Hänzel, Maximiliansplatz 21,
80333 München, DE
(62) 03760870.0 / 1 515 362
H01L 21/205 → (51) H01L 21/677
H01L 21/28 → (51) H01L 21/3205
H01L 21/283 → (51) C22B 59/00
H01L 21/285 → (51) C22B 59/00
H01L 21/285 → (51) H01L 21/3205
H01L 21/288 → (51) H01L 21/3205
H01L 21/301 → (51) B23K 26/04
(51) H01L 21/304 (11) 2 224 469 A2
H01L 21/3065 H01L 21/02
(25) En (26) En
(21) 10154439.3 (22) 23.02.2010
(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB
GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT
NL NO PL PT RO SE SI SK SM TR
AL BA RS
(30) 25.02.2009 US 155426 P
(54) • Verfahren zum Ätzen von 3-D-Strukturen in
ein Halbleitersubstrat, einschließlich der
Oberflächenbehandlung
• Method for etching 3d structures in a
semiconductor substrate, including surface
preparation
• Procédé de gravure de structures en 3D
dans un substrat à semi-conducteur,
incluant la préparation des surfaces
(71) IMEC, Kapeldreef 75, 3001 Leuven, BE
(72) Verdonck, Patrick, B-1970, Wezembeek-
Oppem, BE
Van Cauwenberghe, Marc, B-9810, Nazareth,
BE
Phommahaxay, Alain, B-3000, Leuven, BE
Cotrin Teixeira, Ricardo, 13081-030 Campinas,
SP, BR
Tutunjyan, Nina, B-3000, Leuven, BE
(74) pronovem, Office Van Malderen Avenue
Josse Goffin 158, 1082 Bruxelles, BE
(51) H01L 21/304 (11) 2 224 470 A1
(25) Ja (26) En
(21) 08857296.1 (22) 21.11.2008
324
Anmeldungen
Applications
Demandes (35/2010) 01.09.2010
(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB
GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MT NL
NO PL PT RO SE SI SK TR
AL BA MK RS
(86) JP 2008/071198 21.11.2008
(87) WO 2009/072406 2009/24 11.06.2009
(30) 07.12.2007 JP 2007317621
(54) • VERFAHREN ZUM REINIGEN EINES SILI-
ZIUMWAFERS UND VORRICHTUNG ZUM
REINIGEN DES SILIZIUMWAFERS
• METHOD FOR CLEANING SILICON WAFER
AND APPARATUS FOR CLEANING THE
SILICON WAFER
• PROCÉDÉ ET APPAREIL DE NETTOYAGE
DE TRANCHE DE SILICIUM
(71) SUMCO Corporation, 2-1, Shibaura 1chome,
Minato-ku Tokyo 105-8634, JP
(72) OKUUCHI, Shigeru, Tokyo 105-8634, JP
TAKAISHI, Kazushige, Tokyo 105-8634, JP
(74) Deissler, K. Michael, Hössle Kudlek &
Partner Patentanwälte Postfach 10 23 38,
70019 Stuttgart, DE
H01L 21/3065 → (51) H01L 21/304
(51) H01L 21/308 (11) 2 224 471 A1
H01L 31/04
(25) Ja (26) En
(21) 07859875.2 (22) 20.12.2007
(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB
GR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MT NL PL PT
RO SE SI SK TR
AL BA HR MK RS
(86) JP 2007/074478 20.12.2007
(87) WO 2009/081453 2009/27 02.07.2009
(54) • VERDICKTE ÄTZBESCHICHTUNGSFLÜS-
SIGKEIT UND VERFAHREN ZUM SELEKTI-
VEN ÄTZEN EINES SONNENLICHT-
STROMERZEUGUNGSELEMENTSUBST-
RATS FÜR EINE SOLARZELLE UNTER
VERWENDUNG DER VERDICKTEN ÄTZBE-
SCHICHTUNGSFLÜSSIGKEIT
• THICKENED ETCHING COATING LIQUID,
AND METHOD FOR SELECTIVELY ETCH-
ING SUNLIGHT POWER GENERATION
ELEMENT SUBSTRATE FOR SOLAR CELL
USING THE THICKENED ETCHING COAT-
ING LIQUID
• LIQUIDE DE REVÊTEMENT DE GRAVURE
ÉPAISSI, ET PROCÉDÉ POUR GRAVER
SÉLECTIVEMENT UN SUBSTRAT D'ÉLÉ-
MENT DE GÉNÉRATION D'ÉNERGIE
SOLAIRE POUR UNE PILE SOLAIRE UTI-
LISANT LE LIQUIDE DE REVÊTEMENT DE
GRAVURE ÉPAISSI
(71) Teoss CO., LTD., 9-15, Honmachi 3-chome
Kokubunji-shi Tokyo 185-0012, JP
(72) MURAI, Tsuyoshi, Kokubunji-shi Tokyo
1850012, JP
KONAKA, Toshinori, Kokubunji-shi Tokyo
185-0012, JP
(74) Mounteney, Simon James, Marks & Clerk
LLP 90 Long Acre, London WC2E 9RA, GB
H01L 21/31 → (51) H01L 21/205
H01L 21/31 → (51) H01L 21/677
(51) H01L 21/3205 (11) 2 224 472 A1
C23C 18/16 C23C 18/18
C23C 18/40 H01L 21/28
H01L 21/285 H01L 21/288
H01L 23/52
(25) Ja (26) En
(21) 08861759.2 (22) 26.11.2008
(84) AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB
GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MT NL
NO PL PT RO SE SI SK TR