Yb Pt Si - Type Yb Pt Si - Type

3.6. ENTMISCHUNGSVORGÄNGE 149Abbildung 3.54: Zeitliches Verhalten der Dicke der γ-Phase, ξ(t)Reaktionskontrolliertes Wachstum für kleines t: Die Wachstumsrate dξ(t) ist konstant.dtSie ist durch die Geschwindigkeit der chemischen Reaktion an den Grenzflächen zwischenα und γ bzw. γ und β bestimmt. Die γ-Phase ist noch dünn genug, sodass die Dauer desMaterialtransportes durch γ noch keine Rolle spielt. ξ(t) wächst daher linear.Diffusionskontrolliertes Wachstum für großes t: Die Wachstumsrate dξ(t) ist durch diedtGeschwindigkeit des Materialtransportes durch γ bestimmt. Da dieser durch Diffusion erfolgt,ergibt sich für ξ(t) der für diffusive Prozesse typische Verlauf von ξ(t) ∝ √ t (siehe z.B.Abbildung 3.51: Die Halbwertsbreite der Lösungsfunktionen steigt mit √ t).Die hier beschriebenen Phasenbildungsmechanismen kommen in der mikroelektronischenProzessführung z.B. bei der Herstellung von Oxid- bzw. Silizidschichten definierter Dickedurch kontrollierte Diffusionsprozesse zum Einsatz.Die Kombination von Phasendiagrammen und Diffusionsprozessen hat gezeigt, dass derMaterialtransport durch Diffusion, welcher eigentlich zum Abbau von Konzentrationsgradientenführen sollte, durchaus zur Ausbildung von scharf abgegrenzten Regionen innerhalbeines Materiales führen kann. Wesentlich für diesen Vorgang ist der Unterschied in den Bindungsverhältnissenfür verschiedene Phasen, wie er im vorhergegangenen Abschnitt thermodynamischdurch die Differenz der chemischen Potentiale beschrieben wurde. Im Folgendensollen die Vorgänge, welche zur Phasentrennung in Mehrstoffsystemen führen, genauer betrachtetwerden.3.6 Entmischungsvorgänge3.6.1 EinleitungOft führt die Wahl der Herstellungsparameter von Mehrstoffsystemen dazu, dass das Materialanfangs nicht in seiner Gleichgewichtsform vorliegt. So ist es z.B. möglich, durch rapidesErstarren aus der Schmelze in einem Zweistoffsystem eine atomare Anordnung ”einzufrie-