Yb Pt Si - Type Yb Pt Si - Type

3.6. ENTMISCHUNGSVORGÄNGE 153Abbildung 3.58: Definition des kritischen Keimes: Ausscheidungen mit r < r ∗ tendieren zumZerfall, bei Ausscheidungen mit r > r ∗ führt weiteres Wachstum zur Verringerung von ∆G nAusscheidungen (∆G n > 0) steigt laut Gleichung 3.85 mit steigender Temperatur. Dies istdadurch zu erklären, dass mit steigendem T immer mehr Diffusionsprozesse aktiviert werdenund die Teilchen der Minoritätskomponente sich öfter pro Zeiteinheit treffen können unddaher eine instabile Ausscheidung bilden. Diese kann jedoch, ebenfalls durch die erhöhteTeilchenbeweglichkeit, auch leichter wieder zerfallen, die Bildung stabiler Ausscheidungenwird also erschwert. Daher nimmt die Anzahl der stabilen Ausscheidungen im Volumen (dieAusscheidungsdichte) generell mit steigender Temperatur ab.Der soeben besprochene Prozess der Ausscheidungsbildung stellt den Fall der sogenanntenhomogenen Nukleation dar. Das System enthält keinerlei Defekte und die Ausscheidungsdichtehängt bei konstantem T nur von ∆G ∗ und von r ∗ ab. Unter diesen Idealbedingungenergeben sich allerdings extrem geringe Ausscheidungsdichten, da die Übersättigung meistnicht hoch genug ist, um hohe Werte von G V ol − G Sol zu ergeben. Laut Gleichungen 3.83und 3.84 ergeben sich dadurch hohe kritische Keimradien und hohe Aktivierungsbarrieren.Diese Kombination führt dazu, dass homogene Nukleation im Volumen kaum beobachtetwird.Die Situation ändert sich drastisch, sobald das Zweistoffsystem Störstellen beinhaltet,wie dies z. B. in Abbildung 3.59 dargestellt ist.Abbildung 3.59: Heterogene Nukleation einer Ausscheidung von B an einer Korngrenze zwischezwei Kristalliten der Komponente A.Abbildung 3.59 zeigt eine Korngrenze zwischen zwei Kristalliten des Materiales A, ander sich ein kugelkalottenförmiger Keim (Radius r) der Minoritätskomponente B bildet. Jenachdem, wie gut B die von der Korngrenze gebildete Grenzfläche benetzt, wird der Wert