Yb Pt Si - Type Yb Pt Si - Type

3.8. PRÄPARATIONSMETHODEN 165• Kristallzucht: Taucht man einen kalten Draht in eine Materialschmelze, so bilden sichdort Kristallite. Werden die so entstandenen Kristallite aus der Schmelze herausgezogen,so erstarrt an der Kontaktfläche Kristallit/Schmelze immer weiteres Material. Daauch an den Seitenflächen Erstarrung eintritt, wächst der Querschnitt des entstehendenKristalles immer weiter an. Um mit dieser Methode (Bridgeman oder Czochralski-Verfahren) einen Einkristall zu erzeugen, sollte mit der Schmelze in den Anfangsphasennur ein einzelner, wohl orientierter Kristallit in Berührung kommen. Dieser wird Keimkristallgenannt. Kristallwachstum aus der Schmelze wird z. B. zur Herstellung vonHalbleiterkristallen verwendet. Im Falle von Si ist es möglich, monokristalline Säulenmit Durchmessern von bis zu 30 cm herzustellen.3.8.3 Abscheidung aus der GasphaseDie Abscheidung von Materialien aus ihrer Gasphase dient meist zur Herstellung von dünnenSchichten auf einem Trägermaterial. Sie kann allerdings auch zur Trennung von FlüssigkeitsoderFeststoffgemengen durch Sublimation oder Destillation verwendet werden.• Physikalische Gasphasenabscheidung: Bei den sogenannten PVD (Physical Vapor Deposition)Verfahren werden Metalle oder Dielektrika entweder durch Zufuhr thermischerEnergie oder durch Beschuss mit energiereichen Ionen unter Vakuumbedingungenin die Gasphase übergeführt. Der so entstandene Dampf schlägt sich auf einemTrägermaterial, dem sogenannten Substrat nieder und bildet dort eine Schicht. PVD-Prozesse arbeiten unter Hochvakuum- oder Ultrahochvakuumbedingungen und erlaubendaher die Darstellung extrem reiner Materialien. Sie werden häufig in der Mikroelektronikund Optik eingesetzt.• Chemische Gasphasenabscheidung: Bei den sogenannten CVD (Chemical Vapor Deposition)Verfahren trifft eine in einem Trägergas dispergierte molekulare Verbindungeines Materiales auf eine heiße Festkörperoberfläche auf. Das Molekül zersetzt sich dort,die flüchtigen Komponenten dampfen ab, Feststoffe bilden eine Schicht. Es können mitHilfe dieses Verfahrens sowohl Metalle als auch Halbleiter oder Isolatoren abgeschiedenwerden, sofern eine molekulare Vorläufersubstanz (ein sogenannter ”Precursor“)existiert.3.8.4 Abscheidung aus der FlüssigphaseAuch bei der Abscheidung von Materialien aus Lösungen oder Schmelzen bilden sichdünne Schichten auf einem Substrat. Durch das vollständige Eintauchen des Trägers in dieFlüssigphase können komplex geformte Bauteile beschichtet werden.• Elektrochemische Abscheidung: Die elektrochemische oder galvanische Abscheidungvon Metallen aus (meist wässrigen) Lösungen ist eines der ältesten Beschichtungsverfahren.Im Prinzip werden positive Metallionen am Substrat, welches auf negativemPotential liegt, neutralisiert und bilden eine Metallschicht. Die Auswahl an Metallen,