Yb Pt Si - Type Yb Pt Si - Type

4.2. HALBLEITER 193Abbildung 4.16: Basisschaltung des Transistorslektor und Basis wegen des in Sperrrichtung gepolten n − p 2 Übergangs groß ist.Wird am Eingang eine Spannung U e gelegt, so fließt ein Emitterstrom I E = U e /R e , wobeiR e der Eingangswiderstand zwischen Emitter und Basis ist.Die Ausgangsspannung, die am Ausgangswiderstand R a abfällt, ist dannU a = R a I K = R a βI E = β R aR eU e , (4.37)wobei β der Bruchteil des Emitterstromes ist, der den Kollektor erreicht.Abb. 4.17 stellt die 3 Grundschaltungen von Transistoren dar.Abbildung 4.17: Grundschaltungen von Transistoren.In der Tunneldiode sind n- und p-Bereich sehr hoch dotiert, so dass die Randschicht sehrdünn wird (10 nm). Ihre Dicke hängt ja als Debye-Hückel-Länge von n ab wie d ∼ 1/ √ n.Elektronen können bei Durchlasspolung durch diese dünne Schicht tunneln, was zu einemnegativen differentiellen Widerstand führt. Der Strom fällt mit steigender Spannung.Der Halbleiterlaser erzeugt Rekombinationslicht injizierter Ladungsträger in einem p−n-Übergang ähnlich wie bei der Photodiode. Die Träger, speziell die Elektronen dicht überihrem Bandrand, müssen durch einen Sprung der Bandkante E, die Photonen durch einenSprung der Brechzahl n sowie an den Austrittsflächen durch halbdurchlässige Spiegel eingesperrtwerden, damit die Laserbedingung (erzwungene Emission > Absorption + Photonenverlust)erfüllbar wird. Der einfachste Spiegel ist die glatte Spaltfläche des Kristalls: Dergroße Brechzahlsprung bedingt hohe Reflexion. Den E- und n-Sprung in die andere Richtungerreicht man, indem man z.B. eine dünne (< 1 µm) aktive Region aus GaAs in zwei