Yb Pt Si - Type Yb Pt Si - Type

3.7. OBERFLÄCHEN UND GRENZFLÄCHEN 161Abbildung 3.66: Abhängigkeit von σ von der Schnittrichtung im Kristall(a) Gebrochene Bindungen (symbolisiert durch Kreuzchen) für ein zweidimensionales quadratischesGitter für verschiedene Schnittrichtungen.(b) Wulff-Plot für σ für einen kubischen Kristall. Man beachte, dass der Winkel θ nichtmit dem Winkel in (a) übereinstimmt. Außerdem ist der Wulff-plot in diesem Fall eigentlicheine dreidimensionale Figur.und Oberflächenphase betrachtet werden. In völliger Analogie zu den Phasendiagrammen inMehrstoffsystemen können auch für einen Festkörper mit inneren und äußeren GrenzflächenPhasendiagramme entwickelt werden. Diese geben z. B. Auskunft über die thermodynamischeStabilität oder über die chemische Reaktivität bestimmter Grenzflächentypen.Eine weitere Eigenschaft aller Arten von Festkörpergrenzflächen ist die Möglichkeit, dassdort wesentlich mehr Diffusionsprozesse aktiviert werden können als im Festkörpervolumen.Im Volumen treten de facto nur die leerstellenunterstützte Diffusion, wie sie bereits besprochenwurde, und die Diffusion von gelösten Atomen, welche sich auf Zwischengitterplätzenbefinden (z. B. C in Fe) auf. An einer Grenzfläche können hingegen eine Vielzahl konkurrierenderDiffusionsmechanismen existieren, wie einige in Abbildung 3.67 dargestellt sind.Zwar sind auch hier die diffusiven Einzelereignisse thermisch aktiviert und folgen daherden bereits besprochenen Mechanismen, allerdings liegen die Aktivierungsenergien manchmaldeutlich unter denen für Volumsdiffusion. Daher fungieren innere Grenzflächen wie z. B.Korngrenzen häufig als bevorzugte Diffusionspfade in Festkörpern. Durch die hohe Anzahlvon Fehlstellen und die Vielzahl aktivierbarer Diffusionsmechanismen geht der Materialtransportdort viel rascher vonstatten als es für Volumsdiffusion zu erwarten wäre. Der Einflussvon Grenzflächen auf Nukleationsprozesse durch die Herabsetzung der Aktivierungsenergienfür die Ausscheidungsbildung wurde bereits erwähnt.