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Yb Pt Si - Type Yb Pt Si - Type

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246 KAPITEL 4. MAKROSKOPISCHE EIGENSCHAFTENzur Sättigung (zum Eindrehen der Magnetisierung) aufmagnetisiert wird. Die Magnetostriktionist anisotrop, d.h., zur vollständigen Beschreibung sind die Messungen an Einkristallenlängs der Hauptachsen durchzuführen. Bei isotropen Polykristallen kann man dieSättigungsmagnetostriktion aus einer Bestimmung von λ // in Magnetisierungsrichtung undbei einer Magnetisierung senkrecht dazu λ ⊥ ermitteln:λ = ∆ll ( )λ s = 2 (4.156)λ// − λ3⊥Die Volumenmagnetostriktion ist in der Regel wesentlich kleiner als dieLängsmagnetostriktion (∼10 −6 ).Die Spannungsanisotropieenergiedichte Φ m ergibt sich aus der Magnetostriktion. Dominiertdiese magnetoelastische Energie, so beeinflusst sie maßgebend die Vorzugslagen für dieMagnetisierung und damit die Magnetisierungsprozesse. Die Spannungsempfindlichkeit derMagnetwerkstoffe besitzt bei der halben Sättigungspolarisation den Maximalwert. In magnetischenWerkstoffen kommt zu der elastischen Dehnung noch die durch die Magnetostriktionverursachte hinzu. Der Elastizitätsmodul ist daher eine Funktion des äußeren Magnetfeldes.Magnetisches Streufeld und FormanisotropieDas entmagnetisierende Feld H s oder das magnetische Streufeld ist proportional zu M s unddem von der Probengeometrie abhängigen Entmagnetisierungsfaktor N, gemäß:H s = −N · M s (4.157)Der geometrische Entmagnetisierungsfaktor N wird durch die äußere Form der Probe bestimmtund beträgt zum Beispiel bei einer Kugel in alle drei Richtungen 1/3. Bei einerplättchenförmigen Probe senkrecht zur Oberfläche hat dieser den Wert 1. Eine Anisotropieder äußeren geometrischen Gestalt eines magnetisierten Körpers kann über die Winkelabhängigkeitder Streufeldenergie zu einer magnetischen Vorzugsrichtung (Formanisotropie)führen. Ist die Magnetisierung in einem Volumen homogen, so ergibt sich die Streufeldenergiedichtezu:Φ , S = −1 2 · H s · J s = − 1 2 · µ 0 · H s · M s = 1 2 · µ 0 · N · M 2 s (4.158)4.5.4 Magnetisierungsprozesse, Hysteresis und DomänentheorieMagnetisierungsprozesse sind Vorgänge, die zu einer Änderung der magnetischen Polarisationin einem Werkstoff führen. <strong>Si</strong>e hängen unmittelbar von der auf das Material einwirkendenFeldstärke ab und verlaufen generell sprunghaft (Barkhausen-Rauschen). Die Änderungder magnetischen Polarisation erfolgt dabei durch z.B. Domänenwandverschiebungen undDrehungen der Richtung einheitlich magnetisierter Bereiche (Abb. 4.53). Eine Ummagnetisierungdurch “Bloch”-Wandverschiebungen setzt in der Regel eine Keimbildung voraus,die bei einer kritischen Feldstärke einsetzt und dann bei weiterer Feldstärkeerhöhung zuKeimwachstum sowie zum Auftreten von Wänden und schließlich zu deren Verschiebung

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