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Fisica General Burbano

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E = s e 0<br />

CONDENSADORES 427<br />

para demostrar esta fórmula basta reproducir el razonamiento que nos sirvió para demostrar el teorema<br />

de Coulomb, considerando una superficie dA, en la parte central de la lámina.<br />

En realidad el campo tiene una pequeña distorsión en los bordes del condensador, tanto menor,<br />

cuanto más próximas están las armaduras, y que consideramos nula en nuestro razonamiento.<br />

La diferencia de potencial entre ambas armaduras es:<br />

z z z<br />

s s<br />

V1 − V2<br />

= E?<br />

dr<br />

= E dr = dr = d<br />

e e<br />

1<br />

2<br />

1<br />

2<br />

pasamos del segundo al tercer miembro considerando un transporte de la carga unidad a lo largo<br />

de una línea de fuerza (ángulo entre E y dr, cero y el coseno es 1). La carga de la armadura positiva<br />

es:<br />

2<br />

0 1 0<br />

Fig. XIX-20.– Condensador plano.<br />

Q<br />

=zs<br />

A<br />

dA<br />

MUESTRA PARA EXAMEN. PROHIBIDA SU REPRODUCCIÓN. COPYRIGHT EDITORIAL TÉBAR<br />

y considerando a s prácticamente constante en todos los puntos de las armaduras:<br />

z<br />

Q = s dA = s A<br />

A<br />

La capacidad del condensador es:<br />

Modificando la superficie de condensación (superficie de una armadura frente a la otra) se obtienen<br />

condensadores o asociaciones de condensadores de capacidad variable (Fig. XIX-21).<br />

CONDENSADOR ESFÉRICO. Un condensador esférico está compuesto por dos esferas concéntricas,<br />

la interior de radio r A<br />

, y la exterior (hueca) de radio interior r B<br />

(Fig. XIX-22). Cargamos la esfera<br />

pequeña con carga + Q, en la superficie interior de la esfera hueca se induce una carga – Q; el<br />

campo eléctrico entre las dos es el mismo que el debido a una carga puntual Q situada en el centro<br />

de ambas (como se ha visto, la carga de la corteza exterior no contribuye al campo eléctrico en<br />

el interior y por tanto no se necesidad conocerlo en la región r < r A<br />

ni en r > r B<br />

), el campo en la<br />

zona intermedia toma el valor:<br />

zB<br />

Q<br />

Q Q L 1 1O<br />

Q 4pe0<br />

E = ⇒ VA<br />

− VB<br />

= dr = − ⇒ C = =<br />

2<br />

2<br />

4pe0<br />

r<br />

A 4pe0<br />

r 4pe0<br />

NM<br />

rA rBQP VA − VB<br />

L 1 1O<br />

−<br />

r r<br />

XIX – 15. Asociación de condensadores<br />

ASOCIACIÓN EN PARALELO O DERIVACIÓN: se realiza con la unión de todas las armaduras colectoras<br />

y condensadores entre sí (Fig. XIX-23). «La capacidad del sistema es igual a la suma de las capacidades<br />

asociadas».<br />

En efecto: el potencial de las armaduras colectoras es el mismo (V 1<br />

) por estar unidas formando<br />

un solo conductor en equilibrio; asimismo el potencial de todas las condensadoras es V 2<br />

y común<br />

a todas ellas, con lo que:<br />

Q1 = C1( V1 − V2)<br />

Q2 = C2 ( V1 − V2)<br />

........................<br />

........................<br />

Q = C ( V − V )<br />

n<br />

n<br />

1 2<br />

Q<br />

C =<br />

V − V<br />

Q = Q + Q + Q + ... + Q = ( C + C + ... + C )( V −V<br />

)<br />

1 2 3 n 1 2 n 1 2<br />

El condensador equivalente (Fig. XIX-23 inferior), que almacena la carga total de la asociación<br />

con la misma diferencia de potencial, tiene una capacidad:<br />

Q<br />

C =<br />

V − V<br />

C = C1 + C2 + ... + C n<br />

1 2<br />

A s e0<br />

A<br />

= =<br />

sd/<br />

e d<br />

1 2 0<br />

= C1 + C2 + ... + C n<br />

NM<br />

A<br />

c.q.d.<br />

B<br />

QP<br />

c.q.d.<br />

Fig. XIX-21.– Condensador de capacidad<br />

variable.<br />

Fig. XIX-22.– Condensador esférico.<br />

ASOCIACIÓN EN SERIE: se realiza uniendo las armaduras de cada condensador con la condensadora<br />

y colectora del anterior y del siguiente, quedando las dos terminales, funcionando como armaduras<br />

del conjunto (Fig. XIX-24). «La inversa de la capacidad del sistema es la suma de las inversas<br />

de las capacidades asociadas».<br />

Fig. XIX-23.– Asociación de condensadores<br />

en paralelo o derivación.

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