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Volumen II - SAM

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ha utilizado el funcional Becke-3 para el intercambio y Lee para la correlación (B3LYP) [11] y el<br />

pseudopotencial standard doble-ξ LANL2DZ [12] para los átomos de Ni y el conjunto de bases 6-311G**<br />

para el átomo de Mg.<br />

Los sistemas en estudio han sido modelados usando clusters de tamaños adecuados a los efectos de evitar<br />

los efectos de borde y a la vez lograr un tiempo computacional y exactitud razonables. El compuesto<br />

intermetalico Mg2Ni está constituido por una celda unidad de 18 átomos, 12 átomos de magnesio y 6 átomos<br />

de níquel, en consecuencia, se ha utilizado un cluster de grandes dimensiones, con un total de 82 átomos,<br />

asegurando la presencia de al menos cuatro celdas unidad sin efectos de borde, Fig. 1 (a). El magnesio puro<br />

presenta una estructura hexagonal compacta (hcp) y para simular el sistema se ha utilizado un cluster de 28<br />

átomos, Fig. 1 (b). Los parámetros de red de la celda unidad de ambos sistemas fueron tomados de las<br />

referencias [13] y [14].<br />

Figura 1. Sistemas en estudio (a) Mg2Ni (b) Mg<br />

En DFT la energía puede ser expresada en términos del número de electrones N y el potencial externo v(r),<br />

entonces E[ρ(r)] ≡E[N,ν(r)], siendo ρ(r) la densidad electrónica [6-10]. Las derivadas de E[N,ν(r)] con<br />

respecto a N y ν(r) producen un conjunto de cantidades globales y locales que permiten cuantificar el<br />

concepto de reactividad y selectividad de sitio. El potencial químico electrónico (μ) y la dureza química (η)<br />

son definidas como:<br />

y<br />

⎛ ∂ E ⎞<br />

μ = ⎜ ⎟ = − χ<br />

⎝ ∂ N ⎠<br />

v(<br />

r)<br />

v(r<br />

)<br />

2<br />

1 ⎛ E ⎞<br />

⎜<br />

∂<br />

⎟<br />

1 ⎛ ∂ μ ⎞<br />

η =<br />

2<br />

⎜ ⎟<br />

2 ⎜<br />

=<br />

N ⎟<br />

(2)<br />

⎝ ∂ ⎠ 2 ⎝ ∂ N ⎠ v(<br />

r)<br />

El potencial químico es una propiedad global que caracteriza la tendencia de los electrones a escapar desde<br />

un sistema en equilibrio; formalmente es el multiplicador de Lagrange asociado con la constante de<br />

normalización de la DFT que integra la densidad electrónica con respecto a N [6-10, 15], también esta<br />

relacionado con la electronegatividad de Mulliken (χ).<br />

Por otra parte, la dureza puede ser entendida como una resistencia a la transferencia de carga del sistema<br />

[15-17], ambos μ y η son propiedades globales del sistema y dependen de N y v (r).<br />

En aplicaciones numéricas μ y η son calculadas a través de versiones aproximadas de las ecuaciones (1) y<br />

(2), basadas en la aproximación de diferencias finitas y el teorema de Koopmans [18]:<br />

1041<br />

(1)

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