Volumen II - SAM

V2/V1
1,005
1,000
0,995
0,990
0,985
0,980
0,975
0,970
0,965
0,960
0,955
70 60 50 40 30 20
θ h
θ p =41,7º
Figura 4: Curva de un valor proporcional a la reflectividad, en función del ángulo de incidencia sobre
la hipotenusa del prisma. Se puede apreciar el mínimo, correspondiente al ángulo de plasmón (θp).
A efectos de comparar el valor de ωp obtenido con los valores obtenidos en la bibliografía, se multiplicó este
valor por la constante de Planck, , obteniéndose: ωp = 13,4 eV (en Al-1% at.Si) , en tanto que en
aluminio puro el valor reportado de ωp es de 15,3 eV y en silicio puro aproximadamente 16,7 eV [3].
4. CONCLUSIONES
Si bien, el valor medido en el presente trabajo no es definitivo -ya que habría que realizar las mediciones
nuevamente sobre otros films del mismo material, para asegurarse de que los resultados sean repetitivos y,
por ende, confiables- este valor está en el orden de magnitud esperado, si se tiene en cuenta como punto de
partida la ωp de cada elemento puro. Sin embargo no puede, por el momento hallarse ninguna correlación
entre la composición de la aleación y su frecuencia de plasma.
Es decir, de acuerdo a los resultados obtenidos en este trabajo, una suposición como la siguiente:
ωp Al-Si = (%Al) ωp Al + (%Si) ωp Si (V)
(entendiéndose por %Al y %Si, el porcentaje ya sea atómico o en peso) debería ser desechada. Según lo
observado, será necesaria mucha evidencia experimental, para hallar una relación sencilla que vincule ωp
con la composición, como por ejemplo medir sobre films de Al-Si con mayores porcentajes de Si y también
tener en cuenta las características termodinámicas de cada composición de la aleación como por ejemplo la
formación y estabilidad de fases que puedan aparecer debido a la presencia del aleante, la difusión del
aleante en la matriz, la estructura con la que se forma la aleación al depositarse el film, la presencia de
impurezas, la formación de óxidos sobre la superficie, etc.
El presente trabajo es solamente una primera mirada al problema es por ello que estas variables no han sido
aún incorporadas. Sin embargo, cabe mencionar que el Al-Si es un sistema que presenta un eutéctico simple.
En dicho sistema la solubilidad de silicio en el aluminio es muy baja (es como máximo del 11at.%). Además
es una aleación en la que, a diferencia del sistema Al-Ge, no presenta fases intermetálicas metaestables, por
lo que a priori este factor no parecería tener gran relevancia. Por otra parte, la difusión del aleante tampoco
parece ser algo a considerar ya que, si bien, el aluminio es un metal cuyo punto de fusión es bajo en
comparación con otros metales, los procesos difusivos en Al-Si, comienzan a plasmarse recién a partir de los
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