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Volumen II - SAM

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consistente con lo mostrado en la figura 1 para el par Nb-V. Un análisis similar de las posiciones de las<br />

impurezas muestra que, si J=Nb, el complejo Nb-V-Nb posee mayor energía que el V-Nb-Nb o Nb-Nb-V,<br />

con lo cual la formación de un par Nb-Nb a primeros vecinos es favorable en presencia de V.<br />

energía de migración (eV)<br />

1.5<br />

1.2<br />

0.9<br />

0.6<br />

0.3<br />

0.0<br />

a) b) c)<br />

0.784<br />

0.303<br />

J=Nb<br />

J=Zr<br />

A B C D E F<br />

posición del átomo de Zr<br />

1.160<br />

0.595<br />

A<br />

B1-B2<br />

B3<br />

J=Nb<br />

J=Zr<br />

B4<br />

C1-C2<br />

D1-D2<br />

D3<br />

D4<br />

E1-E2<br />

F4<br />

F3<br />

F1-F2<br />

G<br />

posición del átomo de Nb<br />

1.5<br />

1.2<br />

0.9<br />

0.6<br />

0.3<br />

0.0<br />

1.251<br />

J=Nb<br />

0.615 J=Zr<br />

A1-A2<br />

B<br />

C1-C2<br />

D1-D2<br />

E1-E2<br />

F1-F2<br />

G1-G2<br />

H1-H2<br />

K<br />

L1-L2<br />

posición del átomo de Nb<br />

Figura 3: Energías de migración E m de la vacancia para Nb y Zr en presencia de un solo átomo<br />

de la otra especie: a) salto en Nb(bcc), b) salto basal y c) extrabasal en Zr(hcp). La curva<br />

superior en cada gráfico corresponde a J=Nb y la inferior a J=Zr. Las líneas punteadas<br />

horizontales indican el valor de E m cuando el entorno no tiene impurezas. Las líneas punteadas<br />

verticales indican posiciones cercanas a la zona media de la barrera.<br />

Esta tendencia se mantiene cuando aumenta el número de átomos de impureza a primeros vecinos. En la<br />

figura 4 se muestra la distribución de valores de E m en Nb(bcc) para los casos J=Nb y J=Zr en presencia de<br />

uno o más átomos de impureza. En estos histogramas se incluyen solamente aquellas configuraciones en<br />

donde los átomos de Zr se encuentran de un lado (sitios A, B, C) o de otro (sitios D, E, F) de la barrera, pero<br />

no a ambos simultáneamente. Se observa que las energías de migración son menores cuando las impurezas se<br />

encuentran en sitios D, E o F, favoreciendo la formación de uniones Zr-V a primeros vecinos. Un<br />

comportamiento similar al de una impureza se puede ver para mayor número de átomos de Nb en Zr(hcp).<br />

frecuencia<br />

100<br />

80<br />

60<br />

40<br />

20<br />

átomos de Zr<br />

en D, E, F<br />

a) b)<br />

átomos de Zr<br />

en A, B, C<br />

0<br />

0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0<br />

energía de migración (eV)<br />

frecuencia<br />

100<br />

80<br />

60<br />

40<br />

20<br />

átomos de Zr<br />

en D, E, F<br />

átomos de Zr<br />

en A, B, C<br />

0<br />

0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0<br />

energía de migración (eV)<br />

Figura 4: Distribución de energías de migración para diferentes configuraciones de<br />

impurezas en Nb(bcc) cuando a) J=Nb y b) J=Zr.<br />

3. CÁLCULO DINÁMICO<br />

Las movilidades de las dos especies químicas en Zr(hcp) y Nb(bcc) cuando actúa el mecanismo de vacancia<br />

se estudiaron utilizando la técnica de dinámica molecular [6]. Para ello, se construye un cristalito (1000 sitios<br />

de red para la estructura bcc y 1024 para la hcp) de forma aproximadamente cúbica y se genera una vacancia<br />

extrayendo un átomo de la red. Las simulaciones se realizan imponiendo condiciones periódicas a presión<br />

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