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Volumen II - SAM

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Congreso <strong>SAM</strong>/CONAMET 2009 Buenos Aires, 19 al 23 de Octubre de 2009<br />

DETERMINACIÓN DE LA FRECUENCIA DE PLASMA EN ALEACIONES DE AL-SI<br />

M. V. Castro Riglos (1,2) y J. Gervasoni (1,2,3)<br />

(1) Centro Atómico Bariloche, Comisión Nacional de Energía Atómica, Centro Atómico Bariloche R8402AGP S.C. de<br />

Bariloche, Argentina.<br />

(2) CONICET.<br />

(3) CNEA<br />

E-mail: victoria.castroriglos@cab.cnea.gov.ar<br />

RESUMEN<br />

En el presente trabajo se estudiaron los plasmones superficiales generados en la interfase vidrio-metal de<br />

una película de Al-Si depositada sobre un prisma de vidrio al interactuar con el haz de un láser. De este<br />

modo se obtuvo la reflectividad (R) en función del ángulo de incidencia y se estableció el ángulo de mínima<br />

reflectividad, a partir del cual se dedujo la frecuencia de plasma.<br />

Palabras clave: plasmones, aluminio.<br />

1. INTRODUCCIÓN<br />

A lo largo de los años se ha estudiado que cuando una partícula cargada rápida se mueve dentro de un<br />

material, se produce un complejo proceso dinámico de respuesta a dicha perturbación. Si la partícula se<br />

mueve en la proximidad de la superficie, se debe esperar, además, la aparición de efectos superficiales, como<br />

la excitación de modos colectivos característicos.<br />

Estas oscilaciones son excitaciones longitudinales colectivas del gas de electrones de conducción que poseen<br />

una energía característica, ω(k), y se denominan plasmones. Es decir, un plasmón es un cuanto de energía<br />

que surge al cuantificar dicha oscilación. La energía de estos plasmones toma valores en el rango de 3 a 25<br />

eV para la generalidad de los sólidos. El plasmón es excitado cuando un electrón atraviesa una lámina<br />

metálica delgada o también puede generarse a partir de la reflexión de un electrón o un fotón en una película<br />

metálica. La pérdida de energía del electrón (o fotón) saliente va a ser igual a la energía de uno o varios<br />

plasmones. En general, la mayor parte de la pérdida de energía de un electrón energético que se mueve<br />

dentro de un sólido, se debe a la generación de plasmones por interacciones con otros electrones del medio.<br />

En un medio material, tanto los electrones asociados a conducción eléctrica como los electrones de capas<br />

internas contribuyen, de manera comparable, a la pérdida de energía de la partícula cargada incidente.<br />

La excitación de plasmones está directamente vinculada a las propiedades electrónicas del material y por<br />

ende a su comportamiento óptico. Por lo tanto, los plasmones pueden excitarse y ser observados mediante<br />

experiencias de óptica. El parámetro de interés en el estudio de las excitaciones de los modos colectivos es la<br />

frecuencia de plasma, ωp, que determina si frente a la luz un material es transparente u opaco. Dicho<br />

comportamiento ha sido descrito por el modelo de electrones libres de Drude en metales, de acuerdo a la<br />

siguiente relación:<br />

ε(ω) = 1 - ωp 2 / ω (ω ω − − iγ) 2 (I)<br />

, donde ω es la frecuencia de la luz incidente y ε es la constante dieléctrica del material ( ε ε<br />

= ε1 + iε2 ), que<br />

para los metales es un valor real ya que γ = 0. Si ωp < ω el material es transparente, en tanto que para ωp ><br />

ω ω<br />

el material es opaco. Si el material es un metal, parte de la intensidad incidente es invertida en crear<br />

plasmones dentro del material, y otra parte de la intensidad es reflejada. Un parámetro que da cuenta de esto<br />

es la reflectividad, R, que es el cociente entre la intensidad reflejada (I r ) y la intensidad incidente (I i ) en un<br />

material. En particular, si se hace incidir un haz de luz sobre una película metálica o film, existe un ángulo de<br />

incidencia de la luz para el que la formación de plasmones superficiales es máxima y por lo tanto la<br />

reflectividad presenta un mínimo. Ese ángulo de incidencia se denomina ángulo de plasmón, θp, y se<br />

relaciona con la constante dieléctrica según la siguiente expresión:<br />

n . sen θp = [ε /(ε +1)] 1/2 (<strong>II</strong>)<br />

, donde n es el índice de refracción del medio en el que viaja la luz antes de incidir sobre el metal [1, 2, 3].<br />

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