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Volumen II - SAM

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Teniendo en cuenta que la solubilidad máxima de Sb +5 en la red de SnO2 informada para 800 ºC es de 6.8 %<br />

atom. [3,6]. A medida que la proporción de Sb2O3 aumenta superando ese límite de solubilidad, la<br />

composición de la fase gradualmente cambia. Para adiciones mayores que 5% el análisis por DRX verificó el<br />

inició de la formación de la fase Sb2O4 (que es aislante) [4]. Este resultado corrobora un estudio previo por<br />

XPS realizado en sistemas similares que demostró que para altos contenidos de antimonio aparecen<br />

diferencias de composición entre la superficie y el interior de la partícula dopada de SnO2 [3,6]. A altas<br />

adiciones, la superficie de la partícula de SnO2 se enriquece en antimonio determinándose la segregación del<br />

Sb2O4 mientras que permanece en la estructura cristalina del óxido de estaño sólo el 50 % de la<br />

concentración de antimonio probablemente como Sb +5 [3].<br />

4. CONCLUSIONES<br />

Se midió la repuesta eléctrica de diferentes esmaltes preparados a base de óxido de estaño a través de la<br />

curvas I vs. V y la resistividad superficial. El análisis por DRX de la superficie esmaltada verificó la<br />

existencia de fases cristalinas de estaño dispersas en la matriz vítrea. De la representación log I-log V, lineal<br />

hasta 500V se calcularon los parámetros n y K que intervienen en la ecuación que describe<br />

satisfactoriamente el comportamiento observado. La resistividad superficial resultó principalmente afectada<br />

por la naturaleza y proporción relativa de la fase conductora y en menor medida del tratamiento térmico y del<br />

grado de pureza de los reactivos precursores de la fase conductora. Este resultado se explica porque una alta<br />

proporción de antimonio en la composición favorece el desarrollo de compuestos aislantes. La reducción de<br />

la resistividad del recubrimiento fue significativa a partir del 25 % de fase conductora. Los esmaltes<br />

alcanzaron valores mínimos de resistividad superficial de aproximadamente 10 7 Ω y adquieren propiedades<br />

de semiconductor.<br />

REFERENCIAS<br />

1. R. Aguiar, C. A. Paskocimas, E. R. Leite, E. Longo, M. R. D. Mauricio.“Desenvolvimento do pigmento<br />

condutor SnO2 -Sb2O3 e sua aplicação em vidrados semicondutores”.Cerâmica, Vol. 50 (2004), p. 314-<br />

317.<br />

2. A. Moreno. “Ceramic tiles: above and beyond traditional application”. Boletín de la sociedad española<br />

de cerámica y vidrio”. Vol. 45 (2006), p.59-64.<br />

3. J. M. Herrmann, J. L Portefaix., M. Forissier, F. Figueras, P. Pichat, “Electrical behaviour of powdered<br />

Tin-Antimony mixed oxide catalyst”. J.C.S. Faraday I, Vol. 75 (1979), p. 1346-1355.<br />

4. N. Apaza, L.B. Garrido, E.F. Aglietti, “Preparación y caracterización de esmaltes cerámicos a base de<br />

óxido de estaño” 8º Congreso Internacional Conamet-Sam-2008, Santiago, Chile (artículo en CD de<br />

congreso).<br />

5. ASTM D 256. Standard test methods for DC resistence or conductance of insulating materials (1999).<br />

6. M.N. Sahar, H. Hasbulla “Properties of SnO2 based ceramics”. Journal of materials Science, Vol. 30<br />

(1995), p. 5304-5306.<br />

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