Volumen II - SAM

centro del cluster (Figura 1 (a)). La geometría seleccionada para cada plano es un triángulo equilátero. La
distancia entre planos es de 2.074 Å.
La energía del sistema fue calculada por el método ASED y la estructura electrónica fue estudiada utilizando
el concepto de densidad de estados (DOS) y las curvas de población de solapamiento orbital cristalino
(COOP) implementando el programa YAeHMOP [10]. Todos los cálculos fueron realizados en la sección
central del cluster, para evitar los llamados efectos de borde. El análisis de los resultados teóricos fue
extraído de los gráficos de contornos de energía correspondientes a la interacción FeNi-H cubriendo el plano
(111) que contiene a la vacancia y a pasos de 0.05 Å. Luego de determinar la posición más estable para los H
en la zona del defecto, se analizó el enlace químico y la estructura electrónica de la interacción FeNi-H.
Fe II/III
Fe II/III nn
NiII/III NiII/III nn
Fe
[111]
[110]
[112]
[111]
[110]
FeI/IV nn
FeI/IV Figura 1. (a) Cluster FeNi-H conteniendo a la vacancia (V). (b) Una vista esquemática de los átomos que
rodean a la vacancia.
3. RESULTADOS Y DISCUSIÓN
Bajo un esquema de sorción secuencial, los cuatro átomos de hidrógeno fueron localizados en el cluster
Fe50Ni50. La posición de mínima energía para los hidrógenos resultó ser la zona cercana a la vacancia (V)
(ver Figura 1).
La energía asociada a cada subsistema se presenta en la Tabla 1. Como puede observase, la sorción
secuencial es un proceso favorable (la diferencia de energía total ΔESor. es negativa). Las distancias mínimas
H-vacancia rondan entre 1.2 Å - 1.3 Å. La Figura 2 muestra las líneas de contorno de energía
correspondientes a la energía de aglomeración para el complejo VH4. Se pueden ver a los hidrógenos
alineados a lo largo de la dirección [1ī2] en el plano (111). Este comportamiento podría ser relacionado con
1217
[112]